8002智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案答案3042

题目描述

智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案,智慧树 知到 半导体技术导论的答案如下： 智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案 见面课：半导体器件制程工艺

1、问题:MBE只能用于III-V族化合物的生长。

选项：

A:对

B:错

答案: 【错】

2、问题:提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。

选项：

A:对

B:错

答案: 【对】

3、问题:在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是： （ ）

选项：

A:腐蚀

B:离子注入

C:光刻

D:CVD

答案: 【光刻】

4、问题:光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。

选项：

A:对光刻精度较高

B:光刻图案密度较高

C:光刻的材料易于腐蚀

D:光刻的材料难以腐蚀

答案: 【光刻的材料难以腐蚀】

见面课：半导体器件及材料表征技术

1、问题:通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。

选项：

A:对

B:错

答案: 【对】

2、问题:TEM观测与SEM相同，对样品厚度没有要求。

选项：

A:对

B:错

答案: 【错】

3、问题:AFM通常用来观测样品表面形貌。

选项：

A:对

B:错

答案: 【对】

4、问题:XPS只能检测元素种类，无法标定元素含量。

选项：

A:对

B:错

答案: 【错】

见面课：半导体器件基本结构

1、问题:异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的

选项：

A:对

B:错

答案: 【对】

2、问题:光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小

选项：

A:对

B:错

答案: 【错】

3、问题:MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件

选项：

A:对

B:错

答案: 【错】

4、问题:所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体

选项：

A:对

B:错

答案: 【错】

5、问题:平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的

选项：

A:对

B:错

答案: 【对】

6、问题:一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__达到了14nm量级

选项：

A:栅极长度

B:漏极宽度

C:栅极宽度

D:以上都不是

答案: 【栅极宽度】

7、问题:当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其_的pn结上的电压方向是反向偏置的

选项：

A:集电极到发射极

B:集电极到基极

C:基极到发射极

D:以上都不是

答案: 【集电极到基极】

8、问题:MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制 _ 极和 __极之间的导电沟道的通断

选项：

A:栅、源、漏

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