考试
2022-12-25 03:25:11晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使
题目描述
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A、n型掺杂区
B、P型掺杂区
C、栅氧化层
D、场氧化层
本站整理有大量高等教育、资格考试类试题答案,Ctrl+D收藏备用!
答案解析
C
C
加载中...
AI正在思考中,请稍候...相关试题
4173 Water expands ___
7680 地质年代单位有宇、界、系、统、阶。
(单选题)“在事实发生之后制定的法律,不能将
(多选题)、药物分析的各项效能指标中,用于原
习近平总书记指出,确保到2020年我国现行标
(单选题)人眼能感觉到的光称为可见光,其波长
世界上没有完美无缺的医疗体系,无论是免费医疗
1762年,法国的一间咖啡屋里两个年轻人谈论
下列行为属于偷税的是
下列关于项目融资应具备的条件说法不准确的是(
顺序作业法(也称为依次作业法)的主要特点有(
感染最基本的治疗原则。()
京九线光缆是20芯的,那么它属()结构形式
室内允许差
中央预算预备费的使用必须经()批准,按规定用
为了使爆破形成平整的开挖面,减小超挖,由开挖
男孩,3岁。发热伴咳嗽3d,纳差,痰多。体检
Unicode编码与( )编码方式兼容。
下列关于专利权评价报告的哪种说法是正确的?
乳牙有多少颗