使用0.98nm和1.48nm的半导体激光泵浦最有效。使用这两种波长的光泵浦EDFA时,只用几毫瓦的泵浦功率就可获得高达30~40dB的放大器增益。采用1480nm的InGaAs多量子阱(MQW)激光泵浦源,其输出功率可达100mW,该波长的泵浦增益系数较高。980nm波长对EDFA泵浦,效率高,噪声低。
使用0.98nm和1.48nm的半导体激光泵浦最有效。使用这两种波长的光泵浦EDFA时,只用几毫瓦的泵浦功率就可获得高达30~40dB的放大器增益。采用1480nm的InGaAs多量子阱(MQW)激光泵浦源,其输出功率可达100mW,该波长的泵浦增益系数较高。980nm波长对EDFA泵浦,效率高,噪声低。
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