兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的？

兴奋性突触后电位：突触前膜发生去极化→Ca2+内流→突触小泡的出胞→兴奋性递质释放→与后膜受体结合→引起Na+内流>K+外流→结果使后膜去极化→（或通过总和）达轴丘始段，触发产生动动作电位。抑制性突触后电位：如果释放递质为抑制性递质→进人突触间隙→经扩散作用于突触后膜上的特异性受体或化学门控通道→提高突触后膜对Cl－、K+通透性（以Cl通透性增加为主）→使突触后膜超极化（这一电位称为抑制性突触后电位，IPSP）→使后膜电位与阈电位的差距增大→轴丘始段不产生动作电位（即产生抑制效应）。

兴奋性突触后电位：突触前膜发生去极化→Ca2+内流→突触小泡的出胞→兴奋性递质释放→与后膜受体结合→引起Na+内流>K+外流→结果使后膜去极化→（或通过总和）达轴丘始段，触发产生动动作电位。抑制性突触后电位：如果释放递质为抑制性递质→进人突触间隙→经扩散作用于突触后膜上的特异性受体或化学门控通道→提高突触后膜对Cl－、K+通透性（以Cl通透性增加为主）→使突触后膜超极化（这一电位称为抑制性突触后电位，IPSP）→使后膜电位与阈电位的差距增大→轴丘始段不产生动作电位（即产生抑制效应）。