A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C、表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降
D、有缺陷的试件,才会产生漏磁场
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