当正向超过某值Us时,正向电流才迅速增大,这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI\I结形成后,空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散,当外加正向电压很低时,不能克服内电场的阻碍作用,这样使得正向扩散电流很小,通过=极管的电流较小(近似为o),硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。
当正向超过某值Us时,正向电流才迅速增大,这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI\I结形成后,空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散,当外加正向电压很低时,不能克服内电场的阻碍作用,这样使得正向扩散电流很小,通过=极管的电流较小(近似为o),硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。
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