当JFET或MESFET沟道较短,<1um的情况下,这样的器件沟道内电场很高,载流子民饱合速度通过沟道,因而器件的工作速度得以提高,载流子漂移速度,通常用分段来描述,认为电场小于某一临界电场时,漂移速度与近似与电场强成正比,迁移率是常数,当电场高于
当JFET或MESFET沟道较短,<1um的情况下,这样的器件沟道内电场很高,载流子民饱合速度通过沟道,因而器件的工作速度得以提高,载流子漂移速度,通常用分段来描述,认为电场小于某一临界电场时,漂移速度与近似与电场强成正比,迁移率是常数,当电场高于
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