考试
1970-01-01 08:00:00

某DRAM芯片内部的存储单元为128×128结构,该芯片每隔

题目描述

某DRAM芯片内部的存储单元为128×128结构,该芯片每隔2ms至少刷新一次,且刷新是通过顺序对所有128行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns。求进行刷新操作的时间所占的百分比。×

答案解析

每行的刷新时间为500ns×2=1000ns=1μs。 在2ms时间内需进行128次刷新,需时1×128=128μs 刷新操作的时间所占的百分比为:128μs/2ms×100%=6.4%

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